マスクレス露光装置［ME-120F］
DMDによる直接描画で半導体デバイス試作のサイクルタイムを大幅に削減！最大12インチウェハに対応します！
DMDと呼ばれる表示素子を使用し、ステージと完全同期されたON/OFF制御によってウェハ上にパターンを直接描画します。
フォトマスクの試作にかかる時間や費用が不要になるため、半導体デバイスの試作を効率化することが可能です。
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| ▲レジストへの露光事例 | |
| 1.0µm L/S （1:1） | 0.5µm L/S （1:1） |
■装置仕様
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| 寸法 | W2,000×D1,000×H2,000mm |
| 基板 | Max．□300mm |
| 露光方式 | スキャン露光方式 |
| 光源 | LED（h線：λ=405nm） |
| 最小画素 | 0.5µm |
| 重ね合わせ精度 | ±0.5µm以内 |
| 露光能力 | 360mm²/min（標準描画時） |
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■ 本製品のカタログダウンロード
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| マスクレス露光装置【ME-120F】カタログ |
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用途一覧
半導体デバイスの試作（少量多品種向け）
092-933-3110
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